机译:常关型GaN HEMT器件中p-GaN栅极的物理操作和优化
机译:具有P-GaN门的增强GaN的HEMT器件的进展
机译:保留p-GaN效应以关断p-GaN栅极功率器件中的能量损耗(
机译:用于优化p-GaN栅极HEMT功率器件的局部应力工程
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:用于优化p-GaN栅极HEMT功率器件的局部应力工程